类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：300V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：10A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流(Idm)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.65Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：83W

KTB2530具有多项优异的电气性能和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（300V）使其适用于高电压环境，如开关电源和工业控制系统。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，在连续漏极电流下可达10A，同时在短时间脉冲条件下可承受高达50A的电流，适合需要瞬时高功率的应用场景。
　　KTB2530的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅源电压，使得其与多种驱动电路兼容。该器件的TO-220封装不仅便于安装和散热管理，还增强了其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。此外，其工作温度范围宽（-55℃至150℃）使其适用于各种工业和汽车电子应用。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。这些特性使其成为电源转换、马达控制、负载开关及逆变器等应用中的理想选择。

KTB2530广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、逆变器、工业自动化控制系统、照明驱动电路、电源管理模块以及车载电子系统等。其高耐压和大电流能力使其在需要高效能功率控制的场景中尤为适用。

2SK2530, IRF840, 2N60