时间：2025/4/25 15:19:50
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CGA3E2NP02A330J080AA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用而设计。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用场景。其封装形式优化了散热性能，适合高功率密度的设计需求。
该器件支持高效率的能量转换，并且具备出色的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。
类型：MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
输入电容(Ciss)：4500pF
总栅极电荷(Qg)：95nC
开关时间：ton=13ns, toff=27ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CGA3E2NP02A330J080AA 的主要特点是低导通电阻和快速开关能力，这使得它在高频率操作时能够显著降低功耗。此外，其坚固的封装结构确保了良好的散热性能和电气稳定性。以下是该芯片的一些关键特性：
- 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
- 快速开关速度，适合高频应用环境。
- 高额定电流，能够满足大功率需求。
- 稳定的电气特性和热性能，适用于多种工业场景。
- 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这款 MOSFET 芯片广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
- 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
- 电动车辆(如电动车、电动工具)中的电机驱动电路。
- 工业自动化设备中的负载切换和保护。
- 数据中心及服务器电源系统中的高效能量转换。
- 太阳能逆变器以及其他可再生能源系统的功率处理模块。
CGA3E2NP02A330J080AB, CGA3E2NP02A330J080AC
