时间：2025/9/1 15:34:48
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IS61NVP51236-200B3I是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗、异步静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片具有512K位的存储容量，组织为36位宽的数据总线，适合用于高速缓存、数据缓冲和嵌入式系统中的主存储器。该型号为工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种工业和通信应用。
容量：512K 位
组织方式：x36
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：200MHz
封装类型：BGA（球栅阵列）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装引脚数：119引脚
数据输入/输出：36位
最大存取时间：200ps
功耗：典型工作电流约100mA
IS61NVP51236-200B3I具备低功耗与高速访问的特性，采用先进的CMOS技术制造，支持异步操作，适用于需要快速数据存取的场景。其异步SRAM架构允许灵活的控制信号，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），使其在各种系统中易于集成。此外，该器件具有宽温度范围特性，适用于严苛的工业环境。其球栅阵列（BGA）封装提供了良好的电气性能和热管理，适合高密度PCB设计。该SRAM还具备高可靠性，适用于电信、网络设备、测试设备和工业控制系统等领域。
IS61NVP51236-200B3I的高性能和低功耗特性使其成为嵌入式系统、网络处理器、FPGA缓存、图像处理设备和实时控制系统中的理想选择。该器件还支持多种电压操作，增强了其在不同系统平台上的适用性。
IS61NVP51236-200B3I广泛应用于通信设备、工业控制、测试仪器、嵌入式系统、FPGA缓存、网络路由器和交换机等场景。由于其高速访问时间和低功耗特性，它常用于需要实时数据处理和高速缓存的应用中，如图像处理、信号处理、数据缓冲等场景。此外，该芯片也适用于需要在极端温度环境下稳定运行的工业设备。
IS61LV51236-200B3I, CY7C09543V, IDT70V05H, AS7C351236A-200BCTR
