时间：2025/8/2 11:11:03
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PMC04N65MX是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子系统中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，能够在较高频率下高效工作。PMC04N65MX通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：4A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.5Ω（最大值可能为3.5Ω）
功率耗散（PD）：80W（TO-220封装）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220或DPAK
PMC04N65MX的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的开关速度较快，适合高频应用，从而减小外围电路的体积和重量。其高耐压能力（650V）使其适用于各种中高功率应用场合。PMC04N65MX还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。此外，该器件的栅极驱动要求较低，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路配合使用。这些特性使得PMC04N65MX成为一种高性能、高可靠性的功率MOSFET解决方案。
PMC04N65MX常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关元件。此外，它也适用于家用电器中的电源管理模块和智能电网相关设备。
STP4NK60Z, FQP4N60, IRFBC410, TK04A60D
