CS4N65A3HD 时间：2025/8/2 1:12:18 阅读：14

CS4N65A3HD是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的高压高密度MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类高功率电子设备中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的应用环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：650V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω（在VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为26nC
　　功率耗散（PD）：150W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

CS4N65A3HD具备多项优异特性，使其在高电压应用中表现出色。
　　首先，该器件的漏极电压最大可承受650V，使其适用于高电压开关电路，如电源适配器、LED驱动器和工业电源等。同时，其最大连续漏极电流为4.0A，足以满足大多数中等功率应用的需求。
　　其次，CS4N65A3HD的导通电阻（RDS(on)）仅为1.2Ω，这在同类650V MOSFET中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）较低，为26nC，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热能力，可在高功率工作条件下保持稳定运行。TO-220封装也便于在PCB上安装和散热管理，适用于大多数工业级应用环境。
　　CS4N65A3HD还具备优良的热稳定性和过热保护能力，能够在较高温度环境下长时间工作，确保系统运行的可靠性和寿命。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种严苛环境条件下的应用，如工业自动化、电源模块和电动车控制系统等。

应用

CS4N65A3HD广泛应用于各类高电压和高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，该器件用于主开关电路，实现高效率的能量转换。在DC-DC转换器中，CS4N65A3HD可用于升压或降压拓扑结构，适用于通信电源、服务器电源和工业控制电源等场景。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统，其低导通电阻和高耐压特性可有效提升驱动效率和稳定性。
　　在LED照明系统中，CS4N65A3HD常用于恒流驱动电路，支持高亮度LED模组的高效驱动和调光控制。其良好的热性能可确保LED驱动系统在长时间工作下的稳定性。
　　该器件还可用于电源管理系统、电池充电器、功率因数校正（PFC）电路以及各种高功率开关应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其成为工业自动化、智能家电和新能源系统等领域的理想选择。