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GS1B 发布时间 时间:2025/3/25 10:59:55 查看 阅读:5

GS1B是一种基于CMOS工艺制造的高性能运算放大器芯片,广泛应用于信号处理和放大场景。其主要特点是低功耗、高增益带宽积以及良好的直流精度。该芯片适用于工业控制、消费电子以及通信设备等领域的电路设计。GS1B支持单电源供电,并能够在较宽的工作电压范围内保持稳定性能。
  该芯片采用了小型化的封装形式,便于在紧凑型设计中使用,同时具有较低的输入偏置电流和较高的共模抑制比(CMRR),使其成为精密信号调理应用的理想选择。

参数

供电电压:2.7V至5.5V
  静态工作电流:100μA
  增益带宽积:10MHz
  单位增益频率:10MHz
  输入失调电压:1mV
  输出电流:25mA
  共模抑制比:80dB
  工作温度范围:-40℃至+85℃
  封装形式:SOT-23

特性

GS1B是一款专为低功耗和高性能需求设计的运算放大器芯片。以下是其主要特性:
  1. 高增益带宽积:高达10MHz的增益带宽积使该芯片能够支持高频信号放大。
  2. 低功耗:静态工作电流仅为100μA,适合电池供电系统。
  3. 单电源操作:支持从2.7V到5.5V的宽电压范围,简化了电源设计。
  4. 高共模抑制比:80dB的CMRR确保在复杂噪声环境下仍能保持良好的信号完整性。
  5. 小型化封装:采用SOT-23封装,节省PCB空间。
  6. 宽工作温度范围:能在-40℃至+85℃范围内正常工作,适应多种环境条件。

应用

GS1B广泛用于以下领域:
  1. 消费类电子产品:如音频信号放大、传感器信号调理。
  2. 工业自动化:用于过程控制、数据采集系统中的信号放大。
  3. 通信设备:如无线传感器网络中的信号调理模块。
  4. 医疗设备:用于心率监测仪、血压计等需要精密信号放大的场景。
  5. 电池管理系统:用作低功耗放大器以监测电池电压和电流。

替代型号

TLV2372, OPA354

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GS1B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格5,000 : ¥0.21659卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)2.5 μs
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 100 V
  • 不同?Vr、F 时电容15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AC,SMA
  • 供应商器件封装SMA(DO-214AC)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 175°C