类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：18A（在25℃）
　　脉冲漏极电流：72A
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值）
　　功率耗散(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　存储温度范围：-55℃～150℃

CDLL5518B的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达600V，这使得它非常适合用于高电压输入的开关电源设计。此外，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）最大为0.25Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET支持高达18A的连续漏极电流，在高功率负载条件下依然能够稳定工作。
　　CDLL5518B采用先进的沟槽式技术，提升了器件的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下保持良好的性能。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在突变负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制、照明系统和工业自动化设备。其封装形式（如TO-220或D2PAK）提供了良好的散热性能，有助于在高功耗应用中维持较低的工作温度。

CDLL5518B广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电池充电器、DC-DC转换器、无刷直流电机驱动器、LED照明驱动电路以及工业控制和自动化系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件也适用于需要高效能开关操作的家电和工业设备中，如变频空调、电磁炉、UPS不间断电源等。
　　在新能源领域，CDLL5518B也可用于太阳能逆变器和电动车充电模块中，作为主开关元件或同步整流元件。在电机控制应用中，该MOSFET可以用于H桥驱动电路，实现高效、高可靠性的电机速度和方向控制。此外，由于其良好的热特性和高耐压能力，CDLL5518B也可用于高压LED驱动电源中，提供稳定可靠的输出。

STP18N60C3, FQA18N60C, FDPF18N60