时间：2025/12/28 18:00:02
阅读：26
IS61NLP25672-200B1I-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速、低功耗SRAM产品系列，专为需要高速数据访问和可靠性能的应用而设计。其主要功能是提供快速的数据存储和读取能力，适用于各种需要高带宽和低延迟的系统场景。
类型：SRAM
容量：256K x 72位
电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：200MHz
封装类型：165-TQFP（薄型四边扁平封装）
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行接口
封装尺寸：24mm x 24mm
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
IS61NLP25672-200B1I-TR是一款专为高性能系统设计的低功耗SRAM芯片，其最大访问时间为200MHz，支持高速数据传输。该芯片采用先进的CMOS技术制造，确保了在高速运行时仍能保持较低的功耗，从而适用于对功耗敏感的应用场景。
该芯片的存储容量为256K x 72位，支持大容量数据缓存，适用于需要大量数据处理的系统。其并行接口设计提供了宽数据总线（72位），进一步提升了数据吞吐能力，适用于高性能处理器、网络交换设备和通信系统等。
IS61NLP25672-200B1I-TR采用165引脚TQFP封装，适用于空间受限的工业级应用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在各种工业环境下的稳定运行。此外，该芯片符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用。
该SRAM芯片还具有优异的抗干扰性能和稳定性，适用于复杂电磁环境中的工业控制系统、数据采集系统和嵌入式系统。
IS61NLP25672-200B1I-TR广泛应用于需要高速缓存和数据缓冲的场景，如网络交换设备、路由器、工业控制设备、通信基站、嵌入式系统和数据采集系统等。此外，该芯片也适用于高性能处理器系统中的二级缓存或外部高速缓存模块。
IS61NLP25672-200B1G-TR, CY7C1370B-200BZC, IDT71V41672SA-200B8I
