时间：2025/7/9 9:52:47
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MT15N120J500CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名功率半导体制造商生产。这款器件主要应用于高效率开关电路中，如开关电源、电机驱动、逆变器等场景。其设计优化了导通电阻与开关速度之间的平衡，从而在高频和大电流应用中表现出色。
该型号的 MT15N120J500CT 属于高性能功率 MOSFET 系列，具有低导通电阻、高雪崩能力以及出色的热稳定性，适合工业和消费类电子产品的多种需求。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：68nC
输入电容：3000pF
反向恢复时间：无（本体二极管无反向恢复）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 内置保护机制，具备较高的雪崩击穿能量承受能力。
4. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计。
5. 支持宽温度范围操作，适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动控制电路中的功率级元件。
4. 太阳能逆变器及 UPS 不间断电源系统。
5. 各种需要高效功率转换的工业设备和家用电器。
IRFZ44N
STP15NF06
FDP15N12E
