时间：2025/9/1 9:44:21
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IS61NLP25636A-200TQLI-TR 是一颗由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM），属于高性能、低功耗的SRAM系列产品。该芯片主要设计用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场合，例如工业控制、通信设备、网络基础设施和嵌入式系统。该SRAM的存储容量为9MB（256K x 36位），支持异步访问模式，具有较宽的工作温度范围，适用于工业级环境。
容量：9Mbit（256K x 36）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：200MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP
引脚数：119
数据总线宽度：36位
封装尺寸：14x20mm
输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
IS61NLP25636A-200TQLI-TR 的核心特性之一是其高速访问能力，访问时间低至200MHz，适用于需要快速数据处理的应用。该芯片采用异步接口设计，允许灵活的时序控制，并通过低功耗设计优化延长设备的电池寿命或降低系统功耗。
其支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使得其适用于多种电源管理方案。同时，该SRAM具有宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保其在极端工业环境下依然保持稳定运行，适用于严苛的工业和通信应用。
在封装方面，该芯片采用TQFP封装，具有119个引脚，提供良好的散热性能和紧凑的安装方案。此外，它支持TTL和CMOS电平输入/输出，增强了与多种数字电路的兼容性，使其能够广泛应用于不同的系统设计中。
这款SRAM还具备数据保持功能，在低功耗模式下可保持数据完整性，适用于需要数据持久性的应用场景。整体来看，IS61NLP25636A-200TQLI-TR 是一款高性能、高可靠性的SRAM器件，适用于高端嵌入式系统、工业控制设备和通信基础设施。
该SRAM芯片广泛应用于对存储性能和稳定性有较高要求的工业控制系统、通信设备、网络交换机、路由器、测试仪器以及嵌入式系统。由于其高速访问能力，也常用于图像处理、数据缓存以及实时控制系统中的临时数据存储需求。此外，IS61NLP25636A-200TQLI-TR 还适用于需要低功耗和宽温度范围运行的自动化设备和智能仪器仪表。
IS61NLP25636A-200TQ, CY7C1380D-200BZC, IDT71V416SA200BQG
