时间：2025/5/12 16:45:06
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GCM1555G1H361FA16D 是一种基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，属于高效能开关元件。该型号主要应用于高频和高效率电力电子系统中，例如开关电源、电机驱动器以及太阳能逆变器等场景。其设计采用了增强型 GaN 晶体管技术，具备低导通电阻和快速开关速度的特点。
此器件具有出色的性能表现，在高频应用中可以显著降低能量损耗，同时提高功率密度。相比传统硅基 MOSFET，GCM1555G1H361FA16D 提供了更低的栅极电荷和输出电容，从而提升了整体系统的效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：12A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：无
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高击穿电压，支持高达 600V 的漏源电压，适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻（16mΩ），在大电流条件下减少了功率损耗。
3. 快速开关能力，开关频率可达到 MHz 级别，适合高频应用。
4. 减少了寄生参数如栅极电荷和输出电容，从而提高了效率。
5. 耐高温设计，工作温度范围广，适应恶劣的工作条件。
6. 封装形式紧凑，能够节省电路板空间并提升功率密度。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动器
4. 太阳能逆变器
5. 无线充电设备
6. 数据中心服务器电源
7. 电动车充电桩
GCM1555G1H361FA16D 在这些应用中能够提供更高的效率、更小的体积以及更好的热管理性能。
GTM1550G1H361FA16D
GCM1555G1H361FA18D
GTM1550G1H361FA18D
