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IS61NLP102418-200TQLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:40:44 查看 阅读:5

IS61NLP102418-200TQLI是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产。该器件具有1Mbit(1024K x 18位)的存储容量,采用先进的CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗运行的应用场合。该芯片封装为165引脚的TQFP(Thin Quad Flat Package),适用于工业级温度范围,具备良好的稳定性和可靠性。

参数

容量:1Mbit (1024K × 18)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:200MHz
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装:165-TQFP
  数据宽度:18位
  接口类型:异步
  功耗:典型待机电流低于10mA
  读写电流:根据频率变化

特性

IS61NLP102418-200TQLI具备多项优异特性,首先其高速访问时间(200MHz)使其适用于需要快速数据存取的高端系统。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合对功耗敏感的应用场景。
  其次,该SRAM芯片具有宽电压工作范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的兼容性。同时,其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保在各种环境条件下都能稳定运行。
  此外,该芯片采用CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性,数据保持时间长,无需刷新操作。其异步接口设计也便于与多种微处理器和控制器连接,简化了系统设计和集成过程。
  在封装方面,165-TQFP封装不仅节省空间,还具有良好的散热性能,适用于紧凑型嵌入式系统和工业控制设备。

应用

IS61NLP102418-200TQLI广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统,例如工业自动化控制设备、网络通信设备、路由器、交换机、医疗仪器、测试测量设备、汽车电子系统以及嵌入式控制系统等。由于其高性能和稳定性,该芯片也适用于需要长时间连续运行的高可靠性场合。

替代型号

IS61LV102418-200TQG、IS61NLP102418A-200TQLI、CY7C1021DV33-200BZS、IDT71V1216SA200B8GI

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IS61NLP102418-200TQLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量18 Mbit
  • 组织1 M x 18
  • 访问时间3.1 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流125 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TQFP-100
  • 封装Tube
  • 接口Serial
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 端口数量2
  • 工厂包装数量72
  • 类型Synchronous