IS61NLP102418-200TQLI是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产。该器件具有1Mbit(1024K x 18位)的存储容量,采用先进的CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗运行的应用场合。该芯片封装为165引脚的TQFP(Thin Quad Flat Package),适用于工业级温度范围,具备良好的稳定性和可靠性。
容量:1Mbit (1024K × 18)
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:200MHz
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装:165-TQFP
数据宽度:18位
接口类型:异步
功耗:典型待机电流低于10mA
读写电流:根据频率变化
IS61NLP102418-200TQLI具备多项优异特性,首先其高速访问时间(200MHz)使其适用于需要快速数据存取的高端系统。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合对功耗敏感的应用场景。
其次,该SRAM芯片具有宽电压工作范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的兼容性。同时,其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保在各种环境条件下都能稳定运行。
此外,该芯片采用CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性,数据保持时间长,无需刷新操作。其异步接口设计也便于与多种微处理器和控制器连接,简化了系统设计和集成过程。
在封装方面,165-TQFP封装不仅节省空间,还具有良好的散热性能,适用于紧凑型嵌入式系统和工业控制设备。
IS61NLP102418-200TQLI广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统,例如工业自动化控制设备、网络通信设备、路由器、交换机、医疗仪器、测试测量设备、汽车电子系统以及嵌入式控制系统等。由于其高性能和稳定性,该芯片也适用于需要长时间连续运行的高可靠性场合。
IS61LV102418-200TQG、IS61NLP102418A-200TQLI、CY7C1021DV33-200BZS、IDT71V1216SA200B8GI