时间：2025/9/1 8:40:44
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IS61NLP102418-200TQLI是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产。该器件具有1Mbit（1024K x 18位）的存储容量，采用先进的CMOS工艺制造，适用于需要高速数据访问和低功耗运行的应用场合。该芯片封装为165引脚的TQFP（Thin Quad Flat Package），适用于工业级温度范围，具备良好的稳定性和可靠性。
容量：1Mbit (1024K × 18)
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：200MHz
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：165-TQFP
数据宽度：18位
接口类型：异步
功耗：典型待机电流低于10mA
读写电流：根据频率变化
IS61NLP102418-200TQLI具备多项优异特性，首先其高速访问时间（200MHz）使其适用于需要快速数据存取的高端系统。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适合对功耗敏感的应用场景。
其次，该SRAM芯片具有宽电压工作范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源条件下的兼容性。同时，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保在各种环境条件下都能稳定运行。
此外，该芯片采用CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性，数据保持时间长，无需刷新操作。其异步接口设计也便于与多种微处理器和控制器连接，简化了系统设计和集成过程。
在封装方面，165-TQFP封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于紧凑型嵌入式系统和工业控制设备。
IS61NLP102418-200TQLI广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统，例如工业自动化控制设备、网络通信设备、路由器、交换机、医疗仪器、测试测量设备、汽车电子系统以及嵌入式控制系统等。由于其高性能和稳定性，该芯片也适用于需要长时间连续运行的高可靠性场合。
IS61LV102418-200TQG、IS61NLP102418A-200TQLI、CY7C1021DV33-200BZS、IDT71V1216SA200B8GI
