K3514 时间：2025/8/8 16:33:44 阅读：28

K3514是一款由韩国制造商KEC（Korea Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和开关电源等高功率场合。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。K3514封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（典型值可能更低）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）

特性

K3514的主要特性包括极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于大功率负载应用，如电动工具、汽车电子和工业控制设备。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温度环境下稳定工作。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了器件的高可靠性和长寿命。栅极驱动电压范围较宽，可在+4V至+10V之间有效控制，适用于各种驱动电路设计。此外，K3514具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高系统的响应速度。
　　由于其良好的封装散热设计，K3514能够在高功率密度应用中保持良好的温度控制，减少对散热片的需求。这种特性使其在紧凑型电源设计中具有显著优势。

应用

K3514常用于各种高功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统、UPS不间断电源以及各类工业自动化设备中的功率开关部分。此外，它也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等。在消费类电子产品中，K3514可用于高性能电源适配器和LED照明驱动电路。