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1N5365B 发布时间 时间:2025/12/26 9:20:57 查看 阅读:10

1N5365B是一款硅材料制成的齐纳二极管,广泛应用于电压调节、过压保护和参考电压生成等电路中。该器件具有稳定的击穿电压特性,在反向偏置条件下能够提供精确的电压钳位功能,适用于多种模拟和数字电子系统。1N5365B属于DO-204AL(DO-15)封装系列,具备良好的热稳定性和可靠性,适合在工业控制、消费电子、电源管理和通信设备中使用。其标称齐纳电压为75V,是较高电压齐纳二极管中的典型代表,能够在一定的电流范围内保持较低的动态阻抗和温度系数,从而确保输出电压的稳定性。
  该器件的工作原理基于PN结的反向击穿效应,当外加反向电压达到其额定齐纳电压时,电流迅速增加而电压基本维持不变,从而实现稳压功能。1N5365B的设计符合国际电子工业标准,具有较高的浪涌承受能力和长期工作稳定性,适用于需要高电压基准或保护功能的应用场景。此外,由于其封装形式较为传统且通用性强,便于在通孔插装(THT)工艺中使用,因此在许多老旧设计或对可靠性要求较高的系统中仍被广泛采用。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单向
  最大耗散功率:5000mW
  齐纳电压(Vz):75V @ 41mA
  测试电流(Iz):41mA
  最大漏电流(IR):1μA @ 58V
  最大阻抗(Zzt):45Ω @ 41mA
  最大温度系数:+0.065%/°C
  工作结温范围:-65°C ~ +175°C
  封装形式:DO-204AL (DO-15)
  引脚数:2

特性

1N5365B的核心特性之一是其高齐纳电压值,标称为75V,这使得它在高压稳压和电压钳位应用中具有独特优势。大多数常见的齐纳二极管的电压范围集中在3.3V到36V之间,而1N5365B提供的75V击穿电压填补了高压段的需求空白,特别适用于需要防止瞬态高压损坏敏感元件的场合。该器件在指定的测试电流41mA下表现出稳定的电压输出,动态阻抗低至45Ω,有助于减少因负载变化引起的输出波动,提高系统的整体稳定性。
  另一个显著特点是其高达5W的最大功率耗散能力,这在同类DO-15封装器件中属于较高水平。这意味着1N5365B可以在较宽的电流范围内安全运行,适用于可能经历较大瞬态电流冲击的环境,例如电源启动、雷击感应或开关噪声抑制等场景。同时,其良好的热管理设计允许在高温环境下持续工作,结温可承受高达+175°C,最低可达-65°C,适应极端工业环境下的使用需求。
  1N5365B还具备优异的长期稳定性和低漏电流性能。在未达到击穿电压前,反向漏电流仅为1μA(在58V时),表明其具有很高的绝缘质量和低功耗特性,有利于提升整个电路的能效表现。此外,其温度系数为+0.065%/°C,虽然为正值意味着电压随温度上升略有升高,但在实际应用中可通过外围电路补偿进行校正,尤其适合用于精密电压参考源的设计。
  该器件采用DO-15金属玻璃封装,具有良好的机械强度和密封性,能有效防止湿气和污染物侵入,延长使用寿命。引线采用标准间距设计,兼容自动插件机和手工焊接工艺,适用于批量生产和维修替换。由于其广泛的应用历史和标准化参数,1N5365B已成为许多制造商首选的高压齐纳二极管型号之一。

应用

1N5365B常用于需要高压稳压或过压保护的电子电路中。一个典型应用场景是在直流电源系统中作为过压保护元件,当输入电压异常升高超过75V时,1N5365B进入击穿状态,将多余能量通过接地路径释放,从而保护后续的敏感集成电路(如运算放大器、微控制器或ADC芯片)免受损坏。这种设计常见于工业自动化控制系统、电力监测设备以及电信基站电源模块中。
  在高压参考电压源设计中,1N5365B也可与其他稳压器件配合使用,构成多级稳压结构。例如,在某些高精度仪器仪表或测试设备中,需要稳定的高压偏置电源,此时可利用1N5365B提供基础电压基准,并结合滤波和缓冲电路进一步优化输出质量。此外,它还可用于脉冲宽度调制(PWM)驱动器或开关电源(SMPS)反馈回路中,作为电压检测和限幅元件,确保输出电压不会超出安全范围。
  在浪涌抑制和ESD保护方面,1N5365B因其5W的高功率容量而表现出色。它可以安装在电源入口或信号线路前端,吸收由静电放电、雷击感应或电机启停引起的瞬态高压脉冲,起到“钳位”作用。这类应用常见于户外电子设备、汽车电子系统以及医疗仪器等对可靠性要求极高的领域。
  此外,1N5365B也适用于一些特殊用途,比如在高压倍压电路中作为电压限制器,防止电容充电过高导致击穿;或者在老式CRT显示器、X射线发生器等高压电源系统中作为辅助稳压元件。由于其DO-15封装易于安装和更换,因此在原型开发、教学实验和现场维护中也非常受欢迎。

替代型号

1N5365RLG, 1N5365E, BZY88-C75, MMBZ5365B

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1N5365B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)36V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 27.4V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)11 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5365BOS