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IS61NLF51236-7.5TQLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:53:48 查看 阅读:6

IS61NLF51236-7.5TQLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有高速访问时间、低功耗设计以及宽温度范围等优点,适用于工业级应用。该芯片采用512K x 36位的组织结构,提供大容量数据存储,并支持异步操作,适合用于需要快速数据访问的嵌入式系统和通信设备。

参数

容量:512K x 36位
  电源电压:3.3V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:119
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:14mm x 20mm
  工作模式:异步
  数据总线宽度:36位
  封装材料:无铅(符合RoHS)

特性

IS61NLF51236-7.5TQLI 是一款高性能异步SRAM芯片,专为需要高速数据访问和低功耗的应用设计。其7.5ns的访问时间使得它在高速缓存和实时系统中表现出色。该芯片采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,在待机模式下功耗极低,非常适合电池供电或低功耗设备使用。
  该芯片的封装为119引脚TSOP,符合工业级封装标准,具备良好的机械稳定性和热稳定性,适合在恶劣工业环境中使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种环境条件下都能稳定运行。
  此外,IS61NLF51236-7.5TQLI 支持全地址/数据异步操作,无需时钟信号控制,简化了系统设计并提高了灵活性。其36位的数据总线宽度适用于高带宽应用,如网络交换设备、工业控制、图像处理等。该芯片还具备数据保持功能,在低电压条件下能够保持存储数据不变,增强了系统的可靠性。

应用

IS61NLF51236-7.5TQLI 广泛应用于工业控制设备、网络通信设备、图像处理系统、高速缓存、数据采集系统以及嵌入式系统中。由于其高速访问、低功耗和宽温特性,特别适用于工业自动化、路由器、交换机、医疗设备和测试测量仪器等对可靠性要求较高的场合。

替代型号

IS61NLF51236-7TQLI, CY7C1380D-7B4XI, IDT71V41636A-7BQGI

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IS61NLF51236-7.5TQLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量18 Mbit
  • 访问时间7.5 ns
  • Supply Voltage - Max3.465 V
  • Supply Voltage - Min3.135 V
  • 最大工作电流475 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TQFP-100
  • 封装Tray
  • 最大时钟频率117 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量72
  • 类型Synchronous