型号：QM50TB-H
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：38A
　　脉冲漏极电流（IDM）：150A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.075Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：0.095Ω
　　阈值电压（Vth）：4V ~ 6V
　　最大耗散功率（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

QM50TB-H的核心优势之一是其低导通电阻（RDS(on)），在VGS = 10V时仅为75mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。这一特性使其非常适合用于高频率开关电源设计中，例如AC-DC适配器、服务器电源模块以及光伏逆变器等对效率要求较高的应用场景。同时，由于其RDS(on)在较低的栅极驱动电压下（如4.5V）也能维持在一个相对较低的水平（95mΩ），因此该器件兼容多种常见的逻辑电平驱动电路，提升了系统设计的灵活性。
　　该MOSFET具备高达500V的漏源击穿电压，能够承受较高的瞬态电压冲击，适用于输入电压较高的工业电源系统。其最大连续漏极电流可达38A（在25°C条件下），配合TO-220F封装良好的热传导能力，可在适当的散热条件下支持较大功率的负载切换。此外，器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为100nC左右，这意味着驱动电路所需的能量较少，有利于降低驱动损耗并提高开关速度，从而进一步提升系统整体效率。
　　从可靠性角度看，QM50TB-H具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，能够在突发过压或短路情况下保持一定的耐受能力，减少因异常工况导致的器件损坏风险。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境下的工业应用。封装采用标准TO-220F形式，便于安装在散热片上，有效将内部热量传导至外部环境，避免因温升过高而影响器件寿命或引发热失控。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。

QM50TB-H广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。典型的应用领域包括开关模式电源（SMPS），如台式机电源、工业用AC-DC转换器和LED驱动电源，其中其高耐压和低导通电阻特性可有效提升电源效率并减小体积。在DC-DC转换器拓扑结构中，如Buck、Boost和Flyback电路，该MOSFET常被用作主开关元件，承担高频通断任务，实现高效的能量传递与电压调节。
　　此外，它也适用于电机驱动控制系统，特别是在中小型交流或直流电机的PWM调速电路中，QM50TB-H能够快速响应控制信号，精确控制电机转速与扭矩输出。在太阳能逆变器系统中，该器件可用于直流侧的开关单元，参与将光伏板产生的直流电转换为交流电的过程，其高可靠性和耐压能力确保了系统在户外复杂环境中的长期稳定运行。
　　其他应用还包括不间断电源（UPS）、电池充电管理系统、电焊机电源模块以及各类工业自动化设备中的功率控制单元。由于其具备良好的动态响应特性和较强的电流承载能力，QM50TB-H在需要频繁启停或承受冲击电流的场景中表现出色。同时，其标准化封装便于替换和维护，有利于降低生产与维修成本。

SPW47N50C3, FQA36N50, IRFP460LC