时间：2025/9/1 16:05:32
阅读：11
IS61LV6416-10T-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有64K x 16位的存储容量，采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速读写操作的应用场合。该芯片采用TSSOP封装，支持工业级温度范围，适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。
容量：64K x 16位
组织结构：64K地址，每个地址16位数据
访问时间：10ns
工作电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSSOP
引脚数：54
最大频率：100MHz
功耗（典型值）：待机模式下约1mA，工作模式下约250mA
IS61LV6416-10T-TR SRAM芯片具备高速访问时间（10ns），可满足高性能系统对数据存取速度的要求。
其低功耗设计在待机模式下仅消耗约1mA电流，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
该器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应性。
此外，IS61LV6416-10T-TR支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境下的稳定运行。
封装形式为54引脚TSSOP，便于PCB布局和自动化生产。
该芯片还具备高可靠性，适用于长期运行的工业控制系统和通信设备。
IS61LV6416-10T-TR SRAM芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信模块、数据采集系统和图像处理设备等领域。
由于其高速访问时间和低功耗特性，常用于需要频繁读写数据的场合，如缓存存储器、数据缓冲区、实时控制逻辑等。
此外，该芯片也可用于需要可靠存储和快速响应的自动化控制系统中，如PLC控制器、工业计算机和测量仪器。
在通信领域，IS61LV6416-10T-TR可用于存储临时数据、协议栈缓存和高速数据交换。
同时，该芯片也适用于便携式电子设备，如手持终端、智能仪表和医疗设备等。
IS61LV6416-10B-TR, CY62167EV30LL-45B, IDT71V416S-10P, A6216264A10DI-RL
