类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.13Ω（典型值）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

FGZ50N65WD具有多个优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力达到650V，能够满足大多数高电压开关应用的需求，同时具备良好的抗电压冲击能力。其次，该MOSFET的导通电阻较低，通常在0.13Ω以下，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的连续漏极电流额定值为50A，在高电流应用中表现稳定，适合用于大功率负载控制。
　　     FGZ50N65WD采用了先进的平面工艺和沟槽式栅极结构，确保了器件在高频开关应用中的性能稳定性。其TO-252封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于在PCB上安装和布局。此外，该器件具备良好的热稳定性，在高负载工作条件下仍能保持较低的温度上升，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　     该MOSFET还具备快速开关能力，能够适应高频率的开关操作，减少开关损耗。其栅极驱动电压范围较宽，可在±20V范围内稳定工作，适合多种驱动电路设计。此外，FGZ50N65WD的抗静电能力较强，具备一定的ESD保护能力，适用于各种工业和消费类电子应用。

FGZ50N65WD广泛应用于各种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、UPS不间断电源、LED驱动电源、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制部分。其高耐压和大电流能力使其特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

FGZ50N65WFD、FGZ50N60WD、FGZ60N65WFD、FGZ40N65WD