时间：2025/9/1 10:35:17
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IS61LV12816-12T是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）。其存储容量为128K x 16位，即256KB的总容量，适用于需要高速数据访问和低延迟的嵌入式系统应用。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点，适合工业级温度范围使用。
类型：SRAM（静态随机存取存储器）
容量：128K x 16位（256KB）
电压范围：3.3V ± 0.3V
访问时间：12ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据总线宽度：16位
封装引脚数：54
封装尺寸：标准TSOP
读取电流：最大50mA（典型值）
待机电流：最大10μA
时序类型：异步
IS61LV12816-12T具有高速访问时间和低功耗设计，适用于各种高性能嵌入式系统和实时应用。其12ns的访问时间确保了快速的数据读写能力，同时CMOS工艺降低了功耗，使其在低功耗环境中表现优异。该芯片支持异步操作，不需要时钟信号，简化了系统设计。此外，它具有宽广的工业级温度范围（-40°C至+85°C），适合在严苛的工业环境中使用。TSOP封装形式有助于减小PCB空间占用，提高系统集成度。内置的数据锁存功能和双向数据总线设计进一步增强了其在复杂系统中的灵活性和可靠性。
IS61LV12816-12T广泛应用于需要高速缓存、数据缓冲和临时存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络设备、工业控制系统、通信模块、医疗设备、图像处理系统以及消费类电子产品中的高速数据存储需求。其异步SRAM架构特别适合于需要快速响应和低延迟访问的场景，例如微控制器系统、图形控制器和实时数据采集设备。
IS61LV12816-10T, CY62148EV30LL-45BVXI, IDT71V128SA12PI, AS7C312816A-12BIN-S
