时间：2025/9/2 11:01:43
阅读：11
HY27UH08AG5M-TPCB 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，属于消费级存储解决方案。该芯片采用8位数据总线接口，支持单层单元（SLC）技术，提供较高的数据读写可靠性和较长的使用寿命。这款NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、存储卡、USB闪存盘等需要大容量非易失性存储的设备中。HY27UH08AG5M-TPCB 采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适合高密度、低功耗设计的应用场景。
芯片类型：NAND闪存
存储容量：512MB
电压：2.7V - 3.6V
接口类型：8位 NAND 接口
封装类型：TSOP
工作温度：0°C 至 +70°C
封装尺寸：52引脚 TSOP
读取时间：最大50ns
写入时间：最大50ns
数据保持时间：10年
HY27UH08AG5M-TPCB 具备多项优异特性，首先其采用SLC（Single-Level Cell）技术，每个存储单元仅存储1位数据，相比MLC（Multi-Level Cell）或TLC（Triple-Level Cell）技术，SLC在数据写入速度、数据保留能力和耐用性方面表现更出色，适用于对数据可靠性要求较高的应用场合。
该芯片支持高速数据读写操作，读取和写入时间均控制在50ns以内，能够满足嵌入式系统和存储设备对快速响应的需求。此外，该芯片具备宽电压工作范围（2.7V至3.6V），使其在不同电源条件下都能稳定运行，增强了系统的兼容性和适应性。
采用TSOP封装，HY27UH08AG5M-TPCB 在尺寸上更为紧凑，便于在空间受限的设计中使用。同时，该封装形式有助于降低电磁干扰（EMI）并提高散热性能，从而提升整体系统的稳定性。其工作温度范围为0°C至+70°C，适用于大多数商业级应用环境，如消费电子、工业控制、车载系统等。
该NAND闪存芯片还具备强大的错误检测和纠正能力，支持ECC（Error Correction Code）功能，确保在数据读写过程中减少误码率，提高数据完整性。此外，其支持块擦除和写入保护功能，有助于防止意外数据丢失或损坏，进一步增强系统的可靠性。
HY27UH08AG5M-TPCB 主要应用于各类嵌入式系统、便携式电子产品、固态硬盘控制器、USB存储设备、工业计算机和车载信息娱乐系统等。由于其具备较高的数据可靠性、较长的使用寿命以及较快的读写速度，特别适用于需要频繁写入和读取数据的场景，如日志记录、缓存存储、操作系统启动盘等。同时，该芯片也适用于智能电表、医疗设备、POS终端等对数据存储稳定性要求较高的工业设备中。
K9F5608U0D-PCB00, TC58NVG0S3ETA00, MT29F4G08ABADAWP
