时间：2025/9/1 8:52:37
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IS61LPS25636A-200TQ2I 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗的特点，适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。其存储容量为 256K x 36 位，工作频率高达 200MHz，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），封装为 165-TQFP。
容量：256K x 36 位
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装：165-TQFP
接口类型：并行
频率：200MHz
IS61LPS25636A-200TQ2I 的主要特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为 5.4ns，这使得它非常适合需要快速数据读写的应用。芯片采用低功耗 CMOS 工艺，在保证高性能的同时降低了功耗，特别适用于对功耗敏感的设计。该芯片的电源电压范围为 2.3V 到 3.6V，具有良好的电压兼容性，可以在多种电源条件下稳定工作。
此外，IS61LPS25636A-200TQ2I 支持异步操作，其控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），允许灵活的数据读写控制。该器件在工业级温度范围内（-40°C 至 +85°C）能够保持稳定性能，适用于各种恶劣环境下的应用。封装形式为 165-TQFP，节省空间的同时便于焊接和集成。
IS61LPS25636A-200TQ2I 适用于多种高性能存储需求的场景，如网络设备中的高速缓存、工业控制器中的数据缓冲、通信模块的临时存储器、以及汽车电子系统中的实时数据处理单元。此外，该芯片也常用于图像处理设备、测试仪器和嵌入式系统中，作为快速存取存储器使用。
IS61LPS25636A-200TQ2I 的替代型号可以考虑 ISSI 的其他高速 SRAM 芯片，如 IS61WV25636B-200TQ2I 或 IS64WV25636EB-200TQ2I，它们在功能和性能上相近，具体取决于设计需求和可用性。
