时间：2025/4/7 10:03:31
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SMFP02WV58B是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性，适合在各种高效能要求的应用场景中使用。
SMFP02WV58B属于小型表面贴装器件(SMD)，封装形式为DFN5x6-8L，能够有效节省PCB空间并简化设计流程。此外，其额定电压和电流参数使其非常适合于便携式设备、工业控制和消费类电子产品。
最大漏源电压：58V
连续漏极电流：2A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：7nC
输入电容：190pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN5x6-8L
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够支持高频应用需求。
3. 小型化封装设计，便于实现紧凑型电路布局。
4. 优秀的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 高可靠性和耐用性，满足严格的工业标准要求。
6. 符合RoHS规范，环保无铅材料使用。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC转换器的核心开关元件。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. 消费类电子产品中的电机驱动和信号传输。
5. 工业自动化控制系统中的功率调节与分配。
6. 各种需要高效、小型化功率管理解决方案的场景。
STP2NV58C, IRLZ44N, FDMQ8207
