容量：128K x 36位
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：166MHz（最大）
　　封装类型：TQFP
　　封装引脚数：119
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：36位
　　控制信号：CE#, OE#, WE#, UB#, LB#
　　功耗：典型待机电流为10mA

IS61LP12836-166TQ 具备多项高性能特性，包括高速访问时间（最快可达166MHz）、低功耗设计、宽电压范围（2.3V至3.6V）以适应不同的系统需求。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有优异的抗干扰能力和稳定性，能够在严苛的工业环境下稳定工作。IS61LP12836-166TQ 支持异步操作，便于与多种微处理器和控制器进行接口连接。此外，该SRAM具备双片选（CE1# 和 CE2）功能，支持灵活的地址映射和多芯片配置。其三态输出设计可有效减少总线冲突，提升系统的稳定性与可靠性。
　　在功耗方面，IS61LP12836-166TQ 具备低待机电流（典型值为10mA），在非活跃状态下显著降低能耗，非常适合对功耗敏感的应用。该SRAM还具备地址和数据总线的独立控制，支持高效的读写操作。IS61LP12836-166TQ 采用119引脚TQFP封装，体积小巧，便于PCB布局并节省空间。

IS61LP12836-166TQ 广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备、嵌入式系统、医疗设备、航空航天和汽车电子等领域。在通信设备中，它可作为高速缓存或缓冲存储器，用于临时存储数据包或协议处理信息。在工业控制系统中，IS61LP12836-166TQ 可用于存储程序变量、实时数据或作为图形缓冲区。在嵌入式系统中，该SRAM常用于需要高性能数据处理的场合，如数字信号处理（DSP）、图像处理和高速数据采集等。此外，由于其高可靠性与宽温工作范围，该器件也常用于航空航天和汽车电子等对环境要求较高的应用中。

IS61LP12836A-166TQ, CY62148E, IDT71V416S, IS64LV102436A-166TQ