型号：BU140
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻Rds(on)：0.55Ω（最大值，Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：3V～5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：380pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：45ns（典型值）
　　功耗（Pd）：50W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装类型：TO-220F

BU140具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻与高耐压能力的结合。在Vgs=10V条件下，Rds(on)最大仅为0.55Ω，这一数值在同等级500V N沟道MOSFET中处于较为领先水平，能够显著减少导通状态下的I2R损耗，提升电源系统的转换效率。特别是在中等功率的SMPS（开关模式电源）应用中，这种低Rds(on)特性有助于降低温升，延长元器件寿命，并允许更紧凑的散热设计。此外，该器件采用了罗姆独有的沟槽型场效应晶体管结构，通过优化载流子流动路径，进一步提升了单位面积的电流密度，从而在不增加芯片尺寸的前提下实现更高的性能表现。
　　在动态特性方面，BU140展现出较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得其在高频开关应用中具有更快的响应速度和更低的驱动损耗。典型输入电容为1100pF，在Vds=25V条件下，配合较小的驱动电流即可实现快速开启与关断，适用于工作频率高达数十kHz甚至上百kHz的电源拓扑结构，如反激式、正激式或LLC谐振变换器。同时，其输出电容Coss仅为380pF，有助于减小关断过程中的能量损耗，抑制电压尖峰，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　热稳定性是BU140另一项关键优势。器件的最大功耗可达50W（在壳温25℃时），且结温范围宽达-55℃至+150℃，表明其可在高温工业环境中长期稳定运行。TO-220F封装提供了良好的热传导路径，可通过外接散热片将热量迅速导出，避免局部过热引发的热失控现象。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在突发短路或负载突变情况下承受一定的能量冲击，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管也经过优化设计，反向恢复时间trr典型值为45ns，减少了反向恢复电流尖峰，降低了开关节点的噪声干扰，有利于提升整个功率电路的可靠性与安全性。

BU140广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合作为主开关管或同步整流器件使用。在离线式AC-DC电源适配器中，该MOSFET常用于反激（Flyback）或正激（Forward）拓扑结构中，承担能量传递与电压调节的关键任务。由于其500V的高Vds额定值，能够轻松应对整流后约310V的母线电压，并留有充足的安全裕量以应对电网波动或瞬态过压情况，确保系统长期运行的稳定性。在LED恒流驱动电源中，BU140可用于隔离型或非隔离型降压/升压拓扑，提供高效的能量转换，满足节能与小型化的设计需求。
　　在工业控制领域，BU140也被广泛用于电机驱动电路，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动模块中，作为上桥臂或下桥臂的开关元件。其7A的连续漏极电流能力足以支持多数中小型电机的启动与运行电流需求，而快速的开关响应则有助于实现精确的PWM调速控制。此外，在UPS不间断电源、逆变器和太阳能充电控制器等新能源设备中，BU140凭借其高效率与高可靠性，成为构建DC-AC或DC-DC转换环节的重要组件。其宽温工作范围也使其适用于户外或高温车间等严苛环境下的电力电子装置。在消费类电器如空调、洗衣机、电磁炉的电源模块中，BU140同样发挥着重要作用，帮助实现更高的能效等级和更长的产品使用寿命。