时间：2025/4/28 9:52:24
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MD27256-20/B 是一款 272K x 8 位静态随机存取存储器（SRAM），采用 CMOS 工艺制造。该芯片以其高可靠性、低功耗和快速访问时间而著称，适用于需要高速数据处理的场景。MD27256-20/B 的工作电压范围为 4.5V 至 5.5V，能够在广泛的温度范围内稳定运行，包括商业级和工业级版本。
容量：272K x 8 位
存储密度：2,176 Kbits
访问时间：20 ns
工作电压：4.5V 至 5.5V
接口类型：并行
封装形式：DIP/TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C (工业级)
数据保持时间：无限期（在规定的工作电压范围内）
引脚数量：48
MD27256-20/B 具备极高的速度性能，其 20ns 的访问时间使其成为实时数据处理的理想选择。
该芯片采用 CMOS 技术设计，确保了低功耗运行，并且支持全静态操作，无需刷新功能。
内置的高级保护机制可以防止数据丢失或损坏，同时支持字节写入和突发读取功能，提高了数据传输效率。
由于其大容量存储能力，MD27256-20/B 广泛应用于工业控制、通信设备以及嵌入式系统中，可满足对高性能存储的需求。
MD27256-20/B 被广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化控制器
2. 通信网络设备，如路由器和交换机
3. 医疗设备中的临时数据缓冲
4. 嵌入式计算机系统的高速缓存
5. 数字信号处理器（DSP）的数据存储模块
6. 游戏机和其他消费类电子产品中的图形缓冲区
其高可靠性和快速响应特点，使其特别适合要求严格的实时应用场景。
CY7C1099AV33-12PCVT
IS61WV2048BLL-12TLI
AS4C16M16FB-12TCN
