时间：2025/12/28 18:17:15
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IS61LF12836A 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）。这款SRAM芯片的容量为128K x 36位，总共提供4Mbit的存储容量。IS61LF12836A采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制、测试仪器和嵌入式系统等对性能和稳定性要求较高的领域。该芯片支持异步访问模式，无需时钟信号，操作灵活，适用于多种系统架构。
容量：4Mbit (128K x 36)
组织结构：128K地址，每个地址36位数据
电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：8ns、10ns、12ns（根据型号后缀）
封装：165引脚 BGA、165引脚 TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
输入/输出电平：TTL兼容
封装尺寸：根据后缀不同分为标准TSOP和小型BGA版本
最大工作频率：110MHz（通过异步模式）
数据保持电压：1.5V
IS61LF12836A SRAM芯片采用了ISSI成熟的高性能CMOS技术，确保了在高速运行下的稳定性和低功耗表现。其异步接口设计使得读写操作无需依赖系统时钟，能够根据地址和控制信号的变化即时响应，非常适合用于需要快速数据存取但架构较为灵活的应用场景。
该芯片具有36位宽的数据总线，适合处理大量并行数据的应用，例如高速缓存、图形处理、数据缓冲等。这种大位宽设计减少了数据存取的周期数，提升了整体系统效率。同时，其支持多种封装形式，包括BGA和TSOP，能够适应不同空间限制和散热需求的系统设计。
在功耗方面，IS61LF12836A具有低待机电流特性，当芯片处于非激活状态时，功耗可降至极低水平，适合需要节能设计的嵌入式设备和便携式系统。此外，该芯片在工作电压范围上较为宽泛（2.3V至3.6V），增强了其在不同供电环境下的适应能力。
IS61LF12836A的高可靠性和宽温范围（-40°C至+85°C）使其非常适合在工业、通信和自动化控制系统等恶劣环境中使用。其TTL兼容的输入/输出电平也方便与多种逻辑电路进行接口连接，提升了系统设计的灵活性。
IS61LF12836A被广泛应用于各类高性能嵌入式系统和工业电子设备中。例如，它可以用作高速缓存存储器，为微处理器或数字信号处理器（DSP）提供快速数据访问；在通信设备中，用于数据包缓存和路由表存储；在网络设备中，作为临时数据缓冲区，提高数据处理效率。
此外，IS61LF12836A也适用于测试与测量设备，如示波器、逻辑分析仪和频谱分析仪，用于暂存大量测试数据；在工业控制和自动化系统中，作为数据缓冲和状态存储使用；在视频和图形处理系统中，由于其大位宽数据接口，也常被用来作为帧缓存或图像数据存储器。
该芯片的高稳定性和工业级温度适应性，也使其成为航空航天、军事电子、医疗设备等高可靠性应用中的理想选择。
IS61LF12836A-8TF165, IS61LF12836A-10TF165, IS61LV12836A, CY7C1380D, IDT71V416SA
