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DMP3010LPS-13 发布时间 时间:2025/5/22 22:23:54 查看 阅读:14

DMP3010LPS-13 是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型化SOT23封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件通常应用于便携式电子设备、电源管理模块以及需要高效能和小体积的电路设计中。其出色的电气性能使其在负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等场景中表现出色。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.7A
  栅极阈值电压:1.6V~2.5V
  导通电阻:0.13Ω(在Vgs=4.5V时)
  功耗:420mW
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

DMP3010LPS-13 提供了低导通电阻以减少功率损耗,从而提高整体效率。同时其具备快速开关能力,能够适应高频应用环境。此外,它的小型SOT23封装节省了PCB空间,非常适合对尺寸敏感的设计项目。
  该器件还拥有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下依然可以保持稳定的性能表现。另外,由于其低栅极电荷特性,驱动起来非常简便,减少了对外部驱动电路的需求。

应用

DMP3010LPS-13 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关
  2. DC-DC转换器及POL(Point of Load)调节器
  3. 电池保护和管理系统
  4. LED驱动电路
  5. 一般用途的电源开关和保护电路

替代型号

AO3400
  FDMQ8203
  SI2302DS

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DMP3010LPS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs126.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6234pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.18W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PowerDI5060-8(4.9x5.8)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP3010LPS-13DITR