IS61LF12836A-6.5TQLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)。该芯片具有128K x 36位的存储容量,适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用场合。IS61LF12836A-6.5TQLI 采用CMOS技术制造,具有低功耗和高性能的特点,广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备等领域。
容量:128K x 36位
访问时间:6.5ns
工作电压:3.3V
封装类型:TQFP
引脚数:165
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大工作频率:约150MHz(基于访问时间计算)
IS61LF12836A-6.5TQLI SRAM芯片具备多项显著特性,首先其高速访问时间为6.5ns,使得该芯片能够在高频环境下稳定运行,适用于对数据存取速度要求极高的应用场景。其次,该芯片采用低电压设计,工作电压为3.3V,不仅降低了功耗,也提高了系统的能效比。
此外,该SRAM芯片采用165引脚TQFP封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于紧凑型电路板设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,能够在恶劣环境中稳定运行。
在功能方面,IS61LF12836A-6.5TQLI具备异步控制信号,包括片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE),支持灵活的读写操作。该芯片还具备数据掩码功能,通过BWE#和UB#等信号实现字节写入控制,提高了数据操作的灵活性和安全性。
另外,该芯片在设计上采用了先进的CMOS工艺,具有高抗干扰能力和稳定性,适用于各种高可靠性系统,如工业自动化、网络交换设备、嵌入式系统等。
IS61LF12836A-6.5TQLI SRAM芯片由于其高速度和大容量,广泛应用于需要快速数据缓冲和存储的系统中。例如,在工业控制系统中,它可作为PLC(可编程逻辑控制器)的临时数据存储器,确保数据的实时处理和快速访问。
在通信设备领域,该芯片可被用于路由器、交换机和基站设备中,作为高速缓存来提升数据处理效率。在网络设备中,IS61LF12836A-6.5TQLI 可用于缓存关键数据包,以提高网络传输速度和响应时间。
此外,该芯片也适用于高端嵌入式系统,如医疗设备、测试仪器和视频处理设备,作为主存储器或缓存,提供快速的数据访问能力,提高系统整体性能。
IS61LF12836A-6.5TQI, IS61LV12836A-6.5TQLI, CY7C1380D-6.5BZXC, IDT71V41636A-6.5TQI