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HMF212B7473MGHT 发布时间 时间:2025/6/29 13:08:52 查看 阅读:7

HMF212B7473MGHT 是一款由东芝(Toshiba)生产的非易失性存储器芯片,属于 FRAM(铁电随机存取存储器)系列。FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写性能和闪存的非易失性特点,具有低功耗、高耐久性和快速写入等特性。该型号适用于需要频繁数据记录和低功耗运行的工业、汽车及消费类电子设备。
  此芯片采用 48 引脚的 TQFP 封装形式,工作电压范围为 2.7V 至 3.6V,容量为 256Kb(32K x 8),并支持 SPI 接口通信。

参数

容量:256Kb (32K x 8)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  封装形式:TQFP-48
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保存时间:超过 10 年
  擦写次数:超过 10^12 次

特性

HMF212B7473MGHT 提供卓越的性能和可靠性,其主要特性包括:
  1. 高速写入能力,无需等待时间即可立即存储数据。
  2. 极高的耐用性,支持超过一万亿次(10^12)的擦写周期,适合频繁更新的应用场景。
  3. 超低功耗,在写入操作时电流消耗极小,非常适合电池供电设备。
  4. 数据非易失性,断电后仍能保存数据完整性。
  5. 支持宽温工作范围 (-40°C 至 +85°C),适应多种恶劣环境条件。
  6. 兼容 SPI 接口,便于与微控制器或其他数字电路集成。

应用

这款 FRAM 存储器广泛应用于各种领域,包括但不限于:
  1. 工业自动化中的数据日志记录,例如传感器数据采集。
  2. 医疗设备的数据存储功能,如患者监测系统。
  3. 汽车电子模块中关键参数的实时保存,例如发动机控制单元(ECU)。
  4. 消费电子产品中的配置设置备份,如数码相机和打印机。
  5. 物联网设备中的状态信息记录,确保网络中断时数据不丢失。
  6. 计量仪表(如智能电表)中累计用量或事件记录的长期存储。

替代型号

HMF212B7473MGNT, HMF212B7473MGT

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HMF212B7473MGHT参数

  • 现有数量2,820现货
  • 价格1 : ¥1.99000剪切带(CT)3,000 : ¥0.39922卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.047 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-