时间：2025/9/1 9:25:19
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IS61C512-15N 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点。IS61C512-15N 的存储容量为512Kbit（64K x 8），属于异步SRAM类型，适用于需要快速数据存取但不需要同步时钟控制的应用场景。
容量：512Kbit (64K x 8)
电源电压：5V
访问时间：15ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型：32引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
接口类型：并行接口
数据宽度：8位
功耗：典型工作电流为120mA，待机电流小于10mA
IS61C512-15N 采用先进的CMOS工艺制造，具有优异的性能和可靠性。其高速访问时间（15ns）使其适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。该芯片支持异步操作，简化了与主控芯片的连接。此外，IS61C512-15N 提供了低功耗模式，在待机状态下可显著降低功耗，适合对功耗敏感的应用。该芯片还具有宽工作温度范围，确保在严苛环境下稳定运行。封装小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。
IS61C512-15N 支持多种读写操作模式，包括字节写入和全字写入，提供灵活的数据管理能力。其高可靠性和长期供货稳定性使其成为工业自动化、网络设备、通信设备和消费电子产品的理想选择。此外，该芯片符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设计。
IS61C512-15N 广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景。典型应用包括嵌入式系统的数据缓存、工业控制设备的临时数据存储、网络和通信设备中的缓冲存储器、图像处理设备的帧缓存以及消费类电子产品的临时存储解决方案。该芯片也常用于需要快速访问非易失性存储器辅助数据的场合，如固件加速器、打印机缓冲和智能卡读写设备。
IS61C512-15N 的替代型号包括 IS61C512-12N（更高速度，12ns访问时间）、IS61LV512-15BLL（低电压版本，3.3V供电）以及兼容的异步SRAM芯片如 CY62148EVLL（8Mbit SRAM，高速访问）等。
