时间：2025/11/8 1:47:59
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BM28720MUV-E2是一款由ROHM Semiconductor生产的高效、高电压同步降压DC-DC转换器，专为工业设备、消费类电子产品及车载应用中的电源管理需求而设计。该芯片采用电流模式控制架构，能够在宽输入电压范围内稳定工作，适用于将较高的直流电压（如12V或24V系统）转换为适合微处理器、FPGA、传感器或其他低电压逻辑电路所需的较低输出电压（例如3.3V、2.5V、1.8V等）。BM28720MUV-E2集成了上管和下管功率MOSFET，显著减少了外部元件数量，提高了电源系统的整体效率并缩小了PCB布局面积。其封装形式为MSOP10封装（带裸露焊盘），有助于良好的热性能和紧凑的系统设计。此外，该器件具备多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及输出短路保护，确保在异常工况下的可靠运行。BM28720MUV-E2支持高达2A的连续输出电流，开关频率典型值为600kHz，允许使用小型电感和陶瓷电容，从而实现高性能且成本优化的电源解决方案。
产品型号：BM28720MUV-E2
制造商：ROHM Semiconductor
拓扑结构：同步降压（Buck）
输入电压范围：4.5V 至 28V
输出电压范围：0.8V 至 输入电压
最大输出电流：2A
开关频率：600kHz（典型值）
控制方式：电流模式PWM控制
工作温度范围：-40°C 至 +125°C（Tj）
静态电流：约45μA（待机模式）
关断电流：小于1μA
反馈参考电压：0.8V ±1%
占空比范围：0% 至 100%
封装类型：MSOP-10（带EP）
集成FET：是（上管和下管均集成）
调节类型：固定频率脉冲宽度调制（PWM）
保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、输出短路保护
BM28720MUV-E2采用先进的BiCDMOS制造工艺，具备出色的电气特性和热稳定性，可在高达28V的输入电压下安全运行，适用于各种严苛环境下的电源转换场景。其内部集成的高边和低边MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），有效降低了传导损耗，提升了整体转换效率，尤其在中高负载条件下表现优异。电流模式控制架构不仅提供了快速的瞬态响应能力，还简化了环路补偿设计，使工程师能够更轻松地实现稳定的闭环控制。该芯片支持从0.8V起始的可调输出电压配置，通过外部电阻分压网络即可灵活设定目标电压，满足多种数字和模拟电路的供电需求。
为了提高轻载效率，BM28720MUV-E2通常具备自动脉频调制（Auto PFM）或节能模式切换功能，在低负载时自动进入间歇工作模式以降低开关损耗和静态功耗，从而延长电池供电系统的续航时间。其600kHz的恒定开关频率使得滤波元件（如电感和电容）可以选用小型化、低成本的表面贴装器件，有利于减小电源模块的整体尺寸。MSOP-10封装不仅节省空间，而且底部带有暴露焊盘（Exposed Pad），可通过PCB散热焊盘实现高效热传导，防止芯片因过热导致性能下降或损坏。
该器件内置多重保护机制，当检测到输出过流或短路故障时，会启动打嗝模式（hiccup mode）限制输出电流并周期性尝试重启，避免持续高温运行造成永久性损伤。过温保护功能会在结温超过安全阈值时自动关闭芯片，待温度回落后再恢复正常操作。此外，芯片还具备软启动功能，防止启动过程中产生过大的浪涌电流影响输入电源稳定性。EN引脚支持外部使能控制，可用于系统级电源排序或远程关断；PGOOD（Power Good）状态指示引脚则可用于监控输出电压是否处于正常范围，便于实现复杂的电源管理系统。这些特性共同确保了BM28720MUV-E2在工业自动化、网络通信设备、汽车辅助电源等领域中的高可靠性与广泛应用前景。
BM28720MUV-E2广泛应用于需要高效、小型化DC-DC电源解决方案的各种电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC模块、I/O接口电源、传感器供电单元；电信与网络设备如路由器、交换机中的板级电源转换；家用电器中的主控板供电；安防监控摄像头的嵌入式电源；以及车载信息娱乐系统、车身控制模块等非动力域的12V/24V车载电源转换。由于其宽输入电压范围和高耐压能力，特别适合连接未经稳压的电池或适配器电源总线。在FPGA、DSP、MCU等数字处理器件的核电压与I/O电压供电方案中，BM28720MUV-E2也能提供精确、低噪声的电源轨。此外，因其具备良好的瞬态响应和低静态电流特性，也适用于部分便携式工业手持设备或远程数据采集终端等对能效和体积有严格要求的应用场合。
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