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IS46DR16160B-25DBLA2-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:34:47 查看 阅读:31

IS46DR16160B-25DBLA2-TR 是由Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于通信、工业控制、网络设备和消费类电子产品中。该SRAM采用CMOS技术制造,具备非易失性数据存储能力,在断电后不会丢失数据,同时支持高速读写操作,是需要高性能存储解决方案的理想选择。

参数

容量:256K × 16位
  组织结构:256K × 16
  电源电压:3.3V 或 2.5V 可选(根据具体型号)
  最大访问时间:25ns
  封装形式:54引脚 TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:54-TSOP
  封装引脚间距:0.8mm
  数据输出类型:三态输出
  封装材质:塑料
  时钟频率:异步(无时钟控制)
  最大工作频率:约40MHz(基于访问时间计算)
  输入/输出电平:兼容TTL和CMOS
  封装类型:表面贴装(SMD)
  湿度敏感等级:MSL 3

特性

IS46DR16160B-25DBLA2-TR 采用了先进的CMOS工艺制造,具有出色的性能和稳定性。其主要特性包括:
  1. **高速访问时间**:最大访问时间为25ns,支持高速数据读写操作,适用于对响应时间要求较高的系统应用。
  2. **低功耗设计**:在保持高性能的同时,优化功耗表现,适用于对功耗敏感的嵌入式系统或便携式设备。
  3. **三态输出**:支持多个SRAM芯片共享数据总线,便于构建复杂的存储系统架构。
  4. **工业级工作温度范围**:支持-40°C至+85°C的宽温工作范围,适用于各种工业环境和恶劣条件。
  5. **高可靠性**:采用成熟工艺和先进封装技术,确保器件在长期运行中的稳定性。
  6. **多种封装形式可选**:提供标准的54引脚TSOP封装,方便表面贴装和自动化生产。
  7. **兼容性强**:支持TTL和CMOS电平接口,便于与各种主控芯片连接。
  8. **异步操作**:无需时钟信号,简化了系统设计和时序控制。

应用

IS46DR16160B-25DBLA2-TR 主要用于以下应用场景:
  1. **工业控制**:如PLC、人机界面(HMI)、工业自动化设备等,用于缓存数据或程序代码。
  2. **网络设备**:用于路由器、交换机等网络设备中的快速数据缓冲和临时存储。
  3. **通信系统**:适用于基站、无线通信模块等设备,用于高速数据缓存和处理。
  4. **嵌入式系统**:作为微控制器或FPGA的外部存储器,提升系统性能。
  5. **医疗设备**:用于医疗仪器中的数据采集、存储和处理模块。
  6. **消费类电子产品**:如数码相机、智能穿戴设备等,提供高性能、低功耗的数据存储支持。
  7. **测试与测量设备**:如示波器、逻辑分析仪等,用于高速数据采集和处理。

替代型号

IS46DR16160B-25HBLA2-TR, IS46DR16160B-25DBLI2-TR, IS46LV16160A-25DBLI2-TR

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IS46DR16160B-25DBLA2-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥51.27687卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织16M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳84-TFBGA
  • 供应商器件封装84-TWBGA(8x12.5)