时间：2025/7/24 9:43:37
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DS1225Y-170是一款由Maxim Integrated（原Dallas Semiconductor）设计的非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）模块。该器件结合了高性能的SRAM和持久化的数据保护功能，能够在电源失效时通过内部锂电维持数据完整性，无需外部电池支持。DS1225Y-170的容量为16K x 8位（即128Kb），工作速度为170ns，适用于需要高速访问和数据长期保存的应用场景。
容量：128Kb（16K x 8）
访问时间：170ns
工作电压：5V ± 10%
工作温度范围：0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C（视具体版本而定）
封装形式：28引脚DIP或SOIC
内部电池：内置锂电池
数据保留时间：10年以上（典型值）
读写能力：无限次读写
数据保持电流：约1.5μA（典型值）
DS1225Y-170的主要特性包括其非易失性数据存储能力。该模块在正常工作状态下表现为标准的高速SRAM，访问时间为170ns，适用于需要快速响应的系统应用。在电源电压降至低于设定阈值时，模块会自动将供电切换至内部锂电，确保SRAM中的数据不会丢失，数据保留时间可达10年以上。
此外，DS1225Y-170无需外部电池或超级电容，简化了系统设计并提高了可靠性。其内置的电源监测电路能够自动检测电源电压变化，并在电压下降到安全阈值以下时，迅速切换到内部电池供电。这种无缝切换机制对系统运行无影响，确保了数据的连续性和完整性。
该模块采用标准的28引脚DIP或SOIC封装，便于集成到现有电路中。其工作电压为5V ± 10%，适应多种电源供应环境。DS1225Y-170还支持无限次的读写操作，避免了闪存（Flash）或EEPROM等非易失性存储器因写入次数限制而带来的寿命问题。
DS1225Y-170广泛应用于需要高速数据存储和长期数据保留的场景，如工业控制系统、网络设备、通信设备、测试仪器、嵌入式系统等。例如，在工业PLC（可编程逻辑控制器）中，该模块可用于存储程序代码和关键数据，即使在断电情况下也能保持数据不变。在网络交换设备中，DS1225Y-170可用于缓存配置信息和运行时日志，提高系统的稳定性和可靠性。此外，在医疗设备、自动售货机、智能仪表等需要数据持久化的应用中，该模块也具有广泛的适用性。
DS1225Y-150, DS1225Y-200, CY14B101N-ZS45XIT, FM24V10-DGTR
