晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

MMBTH10LT1具有优异的高频响应特性，适用于需要较高工作频率的电路设计。其SOT-23封装形式小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和电气性能。
　　该晶体管具备较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高效率。此外，MMBTH10LT1具有较高的电流增益（hFE），使其在放大应用中表现出色。其高可靠性和较长的使用寿命也使其适用于对稳定性要求较高的工业控制和通信设备。
　　MMBTH10LT1的制造工艺符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合环保电子产品设计。该晶体管还具备良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电放电造成的损坏。

MMBTH10LT1常用于音频放大器、射频（RF）放大器、开关电路和数字逻辑电路中。由于其良好的高频特性，该晶体管在无线通信设备和传感器电路中也广泛应用。
　　此外，MMBTH10LT1可用于驱动LED、继电器和小型电机等负载，适合用于便携式电子设备和嵌入式系统。在工业自动化系统中，该晶体管可以作为信号处理和控制电路的一部分，提供可靠的开关和放大功能。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备，MMBTH10LT1可以用于音频信号放大和电源管理电路，提高设备的性能和能效。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A