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IS45S32400B-6TLA1 发布时间 时间:2025/12/28 17:46:57 查看 阅读:36

IS45S32400B-6TLA1是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问的特点,适用于需要快速数据存取的场合。IS45S32400B-6TLA1封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具有32位数据宽度和4Mbit的存储容量,广泛应用于网络设备、通信设备、工业控制设备等高端电子产品中。

参数

容量:4Mbit
  组织方式:32位(x32)
  访问时间:5.4ns(最大)
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装尺寸:8mm x 14mm
  最大工作频率:166MHz
  数据保持电压:2.0V
  数据保持电流:10mA(典型)

特性

IS45S32400B-6TLA1 SRAM芯片具有多项高性能特性。首先,其高速访问时间为5.4ns,支持高达166MHz的时钟频率,能够满足高速数据处理应用的需求。其次,该芯片采用低功耗CMOS工艺,降低了运行时的功耗,同时具备数据保持模式,可在低电压(最低2.0V)下保持数据,适用于电池供电设备或低功耗系统。此外,IS45S32400B-6TLA1支持异步操作,无需外部时钟控制,简化了系统设计。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,适合高密度PCB布局。该芯片还符合RoHS环保标准,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在各种恶劣环境下稳定运行。

应用

IS45S32400B-6TLA1 SRAM芯片广泛应用于对性能和稳定性要求较高的电子设备中。常见的应用包括网络交换机和路由器、嵌入式控制系统、工业自动化设备、测试仪器以及通信基础设施设备。此外,该芯片也适用于图像处理、视频缓冲、高速缓存存储等需要快速存取数据的场景。由于其低功耗和高速特性,IS45S32400B-6TLA1也被广泛应用于便携式工业设备和车载电子系统。

替代型号

IS45S32400B-6TLI、IS45S32400B-6TLLB、IS45S32400B-6TLLA

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IS45S32400B-6TLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度32 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-86
  • 存储容量128 Mbit
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6.5 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流180 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108