时间：2025/11/13 9:07:01
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CL31B105KBHNNNF 是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R型陶瓷电容系列，具有较高的电容密度和良好的温度稳定性。其标称电容值为1.0μF（即105表示1.0×10^5 pF），额定电压为50V DC，适用于去耦、滤波、旁路以及电源管理等多种电路应用场景。
该型号采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，适合表面贴装技术（SMT），具备优良的可焊性和机械强度。由于采用了镍阻挡层电极结构（Ni-barrier），CL31B105KBHNNNF在抗热冲击和防止银迁移方面表现优异，提高了长期使用的可靠性。此外，该产品符合RoHS环保标准，并且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。
CL31B105KBHNNNF广泛应用于消费类电子设备如智能手机、平板电脑、电视和机顶盒中，也常见于工业控制模块、通信设备及汽车电子系统等对稳定性和寿命要求较高的场合。其稳定的电气性能和紧凑的外形使其成为高频开关电源和DC-DC转换器中理想的去耦电容选择。
电容：1.0μF
容差：±10%
额定电压：50V DC
温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化不超过±15%）
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.25mm）
介质类型：陶瓷（Class II，高K材料）
电极结构：Ni-barrier（镍阻挡层）
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
ESR（等效串联电阻）：低
安装方式：表面贴装（SMD）
符合标准：RoHS、无卤素
CL31B105KBHNNNF 具备出色的温度稳定性和电压保持能力，在宽温度范围内能维持相对稳定的电容值。其X5R介质材料确保在-55°C到+85°C的工作温度区间内，电容的变化幅度控制在±15%以内，远优于一般Y5V类电容，适用于需要较高精度和可靠性的场景。同时，该电容在施加接近额定电压的直流偏置时仍能保留大部分标称电容值，这对于在电源轨上进行有效去耦至关重要。
该器件采用镍阻挡层电极设计，显著提升了抗硫化能力和耐热循环性能，避免了传统银电极在高温高湿环境下易发生电化学迁移的问题，从而增强了在恶劣环境中的长期可靠性。这种结构特别适合用于汽车电子或户外通信设备等可能暴露于污染空气中的应用。
其0805小型化封装在提供足够机械强度的同时，兼顾了高密度PCB布局的需求，便于自动化贴片生产，提高组装效率。低等效串联电阻（ESR）特性使其在高频噪声滤除方面表现出色，可有效抑制开关电源产生的纹波干扰。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温存储、温度循环、湿度偏压等试验，确保出厂品质一致。作为三星MLCC产品线的一员，CL31B105KBHNNNF拥有稳定的供应链和大批量供货能力，是工业与消费电子设计中的优选被动元件之一。
广泛用于各类电子设备的电源去耦与滤波电路，例如在DC-DC转换器输出端平滑电压波动；在微处理器、FPGA或ASIC的供电引脚附近作为旁路电容以吸收瞬态电流尖峰；在模拟信号链中用于构建低通滤波网络；也可用于定时、振荡和耦合电路中。常见于智能手机、路由器、监控摄像头、工控主板、LED驱动电源及车载信息娱乐系统中。
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"CL31A105KBHNNNE",
"CL21B105KBHNNN",
"GRM21BR71H105KA01L",
"C2012X5R1H105K",
"EMK212B71H105KAQL"
]
