LMNR8040T100M 时间：2025/4/30 16:00:30 阅读：25

LMNR8040T100M是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效能应用设计。该器件采用了80V耐压等级，并具有超低的导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载点(POL)转换等应用领域。其紧凑的封装形式有助于减少寄生效应并提升整体性能。
　　LMNR8040系列通过优化栅极驱动特性来降低开关损耗，同时提供快速的开关速度，从而显著提高效率。

参数

型号：LMNR8040T100M
　　耐压：80V
　　导通电阻：100mΩ
　　连续漏极电流：36A
　　栅极电荷：32nC
　　反向恢复时间：无反向恢复（GaN器件固有特性）
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

LMNR8040T100M的最大特点在于其采用GaN材料制造，这种材料相比传统的硅基器件具有更低的开关损耗和更高的频率响应能力。
　　1. 超低导通电阻：100mΩ的Rds(on)值确保在高电流条件下依然保持较低的功耗。
　　2. 高效开关：得益于GaN的优异性能，器件能够实现更快的开关速度，同时降低电磁干扰(EMI)问题。
　　3. 紧凑封装：使用TO-263封装，简化了PCB布局设计并减少了热阻。
　　4. 宽广的工作温度范围：支持从-55°C到+150°C的极端环境，适用于工业和汽车场景。

应用

LMNR8040T100M广泛应用于需要高性能、高效率的电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)：例如服务器电源、通信设备电源和消费类电子产品适配器。
　　2. DC-DC转换器：特别是在分布式电源架构下的负载点转换(POL)，可大幅提升转换效率。
　　3. 电机驱动：支持电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的逆变器模块，以及家用电器中的小型电机控制。
　　4. 光伏逆变器：利用其高频运行能力来优化太阳能发电系统的效能。
　　5. 快速充电器：满足USB-PD协议要求的高功率密度设计需求。