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RCLAMP5031ZBTFT 发布时间 时间:2025/8/4 23:28:06 查看 阅读:19

RCLAMP5031ZBTFT是一款由Semtech公司生产的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击浪涌等瞬态电压危害而设计。该器件采用多层陶瓷技术,提供低电容、快速响应时间和高可靠性,适用于各种通信接口和高速数据线路的保护。RCLAMP5031ZBTFT采用紧凑的DFN(Dual Flat No-lead)封装,适合在空间受限的应用中使用。

参数

工作电压:50V
  击穿电压:58V(min)
  钳位电压(Ipp=1A):90V(max)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  反向关态电压(Vrwm):50V
  电容(@1MHz):2.5pF(typ)
  响应时间:小于1ns
  封装形式:DFN-10

特性

RCLAMP5031ZBTFT具有多项优良特性,确保其在各类电子系统中提供高效的电压保护。首先,其低电容特性(典型值为2.5pF)使其非常适合用于高速数据线路的保护,不会对信号完整性造成显著影响,适用于USB、HDMI、以太网等高频接口。其次,该器件的响应时间小于1纳秒,能够在瞬态电压事件发生的极短时间内迅速导通,将过电压钳制在安全范围内,从而有效保护后端电路。此外,RCLAMP5031ZBTFT的钳位电压在1A峰值脉冲电流下最大为90V,这一指标确保其在吸收瞬态能量的同时,将施加在被保护设备上的电压控制在安全水平。该器件的工作温度范围广泛,通常为-55°C至+150°C,适应各种恶劣环境条件下的应用需求。采用DFN-10封装形式,不仅节省PCB空间,而且具有良好的热管理和机械稳定性,适合自动化贴片生产流程。RCLAMP5031ZBTFT还具有良好的重复使用性,即使在多次遭受瞬态电压冲击后仍能保持稳定的性能,提高了系统的长期可靠性。此外,其内部结构设计优化,具有较低的漏电流,在反向关态电压50V下,漏电流通常小于1μA,不会对系统功耗造成明显影响。

应用

RCLAMP5031ZBTFT广泛应用于需要高精度和高可靠性保护的电子系统中。其典型应用场景包括通信设备中的以太网接口保护、工业自动化系统中的信号传输线路保护、消费类电子产品如智能手机和平板电脑中的USB和HDMI端口保护等。由于其低电容特性,该器件特别适用于高速数据传输线路的保护,可有效防止因静电放电或雷击浪涌引起的信号中断或器件损坏。在汽车电子系统中,RCLAMP5031ZBTFT也可用于保护车载通信总线(如CAN和LIN)免受瞬态电压的影响,确保车辆电子系统的稳定运行。此外,该器件还可用于医疗设备、安防监控系统、智能家居设备等对电路保护要求较高的领域。由于其紧凑的DFN封装形式,RCLAMP5031ZBTFT非常适合空间受限的应用,同时其高可靠性和长寿命特性也使其成为工业控制和自动化设备中理想的保护元件。

替代型号

RCLAMP5031ZSCT、RCLAMP5031ZB、RCLAMP5031ZA、RCLAMP5031ZDFN、RCLAMP5031ZSDFN

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