时间：2025/12/27 8:54:54
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18N60-MH是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用先进的高压工艺技术制造，具有高耐压、低导通电阻和优良的开关特性。该器件通常应用于电源管理领域，特别是在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及照明电源等场合中表现出色。18N60-MH中的“18”代表其在特定测试条件下的导通电阻或电流能力，“N”表示N沟道类型，“60”通常指其漏源击穿电压为600V，而“MH”可能是制造商特定的封装或性能标识。该器件适用于需要高效能和高可靠性的中等功率应用。其设计优化了雪崩能量承受能力和热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。此外，18N60-MH通常采用TO-220或类似的通孔封装形式，便于散热安装，在工业控制、消费电子和家电电源系统中广泛应用。
型号：18N60-MH
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：18A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：72A
功耗（Pd）：200W
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω（Max 0.27Ω @ Vgs=10V）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220FP 或 TO-220
18N60-MH具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高电压阻断能力与较低的导通损耗之间的良好平衡。该MOSFET的漏源击穿电压高达600V，使其能够安全应用于市电整流后的高压侧开关电路中，如AC-DC反激式电源、PFC电路等。其导通电阻在同类600V器件中处于较低水平，典型值为0.22Ω，在满载工作条件下可显著降低传导损耗，提升整体电源效率。
器件采用了先进的沟槽栅结构设计，提升了单位面积内的载流子迁移率，从而实现更高的电流密度和更快的开关速度。这不仅有助于减小外围元件尺寸，还能提高系统的功率密度。同时，快速开关响应减少了开关过程中的交越时间，降低了动态损耗，特别适合高频开关应用环境。
18N60-MH还具备出色的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统在异常工况下的可靠性。其栅极输入电容较小，驱动功率需求低，兼容常见的PWM控制器输出级，简化了驱动电路设计。
热性能方面，该器件采用高导热材料封装，确保热量能有效从芯片传递至散热器。在良好的散热条件下，可长时间承载大电流运行。此外，产品通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS标准，适用于全球范围内的工业与消费类电子产品设计。
18N60-MH广泛用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于通用AC-DC适配器、LED恒流驱动电源、离线式反激变换器、PFC升压开关管、小型逆变电源、家用电器电源模块（如空调、洗衣机）、工业控制电源以及电池充电设备等。由于其高耐压和较强电流处理能力，也常被用作电机控制电路中的主开关元件。此外，在太阳能微逆变器和智能电表电源部分也有潜在应用价值。其稳定的性能表现使其成为替代传统晶体管和较低性能MOSFET的理想选择。
FQP18N60C, K18N60F, G18N60B, STW18N60FD
