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IS45S16400F-7TLA1 发布时间 时间:2025/9/1 10:13:41 查看 阅读:9

IS45S16400F-7TLA1是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于16Mbit的DRAM类别,采用16位并行接口设计,适用于需要中等容量高速存储的系统应用,如工业控制、网络设备、通信设备和嵌入式系统等。IS45S16400F-7TLA1的封装形式为54引脚TSOP(薄型小外形封装),便于在空间受限的应用中使用。其工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  最大访问时间:7ns
  封装类型:54-TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行(16位)
  刷新周期:64ms
  功耗:低功耗CMOS工艺
  时钟频率:最大166MHz
  数据保持电压:1.5V(最小)

特性

IS45S16400F-7TLA1采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点。其高速访问时间为7ns,支持高达166MHz的时钟频率,确保系统能够快速读写数据。芯片内部集成自刷新(Self-Refresh)功能,能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性,显著降低待机功耗。此外,该器件支持多种操作模式,包括页模式(Page Mode)和突发模式(Burst Mode),为不同的应用需求提供灵活性。
  IS45S16400F-7TLA1的54-TSOP封装结构紧凑,适合在空间受限的嵌入式系统中使用,并且具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其宽广的工作电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源设计,适用于多电压系统。该芯片还具备错误检测和纠正能力,提高了数据存储的可靠性。
  此外,该DRAM芯片支持自动预充电(Auto Precharge)和突发长度控制(Burst Length Control)功能,优化了数据传输效率。它也符合RoHS环保标准,适合环保要求较高的应用环境。

应用

IS45S16400F-7TLA1广泛应用于需要高速、低功耗存储的工业和通信设备中。典型应用包括工业控制系统、网络交换设备、路由器、视频采集与处理模块、嵌入式处理器系统、数据采集设备以及便携式电子设备。由于其具备宽电压范围和工业级温度耐受能力,该芯片特别适用于户外或恶劣环境下的设备,如通信基站、安防监控系统和工业自动化设备。

替代型号

IS45S16400G-7TLLB1, IS45S16400F-6TLN1, CY7C1041CV33-7ZSXE, IDT71V124SA70PFGI

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IS45S16400F-7TLA1产品

IS45S16400F-7TLA1参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 封装 / 箱体TSOP-54
  • 存储容量64 Mbit
  • 最大时钟频率143 MHz
  • 访问时间6 ns, 5.4 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流110 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装Tray
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量108