容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　时钟频率：100MHz
　　访问时间：10ns
　　数据宽度：16位
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

HY57V168010TC-10芯片具有多种显著的特性，以满足高性能存储需求。首先，它支持同步DRAM操作，使得数据读写与系统时钟同步，提高了数据传输的稳定性和效率。其次，该芯片具有低功耗设计，适用于对能耗敏感的嵌入式系统应用。此外，该芯片具备较高的数据传输速率，支持100MHz的时钟频率，能够满足对数据吞吐量要求较高的应用场景。其16位的数据宽度也使得它能够处理较大块的数据传输，提高了系统的整体性能。
　　在封装方面，HY57V168010TC-10采用TSOP技术，这种封装形式不仅体积较小，而且具备良好的散热性能，适用于空间受限但需要稳定工作的设备。同时，该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为恶劣的环境条件下正常运行，增强了其在工业控制、通信设备等领域的适用性。
　　此外，该芯片的控制接口与标准DRAM控制器兼容，简化了设计和集成过程，降低了开发难度和成本。这种兼容性也使得它能够较为容易地替换其他同类型DRAM芯片，为系统升级和维护提供了便利。

HY57V168010TC-10由于其高性能和低功耗特性，广泛应用于各种嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品。例如，在嵌入式系统中，它可以作为主存储器，用于存储程序和运行时的数据，满足系统对内存容量和速度的需求。在工业控制系统中，该芯片的高可靠性和宽温度范围使其能够在复杂的工业环境中稳定运行。在通信设备中，它可用于高速数据缓存，提高数据传输和处理效率。此外，一些需要中等容量内存支持的消费类电子产品，如家用路由器、智能电视、多媒体播放器等，也可以采用该芯片以提升设备的整体性能。

HY57V281620HC-6S, MT48LC16M2A2B4-6A