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IS43TR82560DL-107MBLI 发布时间 时间:2025/12/28 18:20:42 查看 阅读:39

IS43TR82560DL-107MBLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该器件具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取的应用场景。IS43TR82560DL-107MBLI 的存储容量为256K x 8位,采用标准的异步SRAM接口,适用于工业级工作温度范围,是一款广泛用于工业控制、通信设备、网络设备和嵌入式系统中的高性能存储器。

参数

容量:256K x 8位
  访问时间:10ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:异步
  读取电流:100mA(典型值)
  待机电流:10mA(典型值)
  封装尺寸:54-TSOP
  制造商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)

特性

IS43TR82560DL-107MBLI 是一款高速异步SRAM芯片,其主要特性包括:
  1. 高速访问能力:该芯片的访问时间仅为10ns,能够满足对数据访问速度要求较高的应用场景,如高速缓存、图像处理和实时控制系统。
  2. 低功耗设计:IS43TR82560DL-107MBLI 采用了先进的低功耗工艺,待机电流仅为10mA,适合对功耗敏感的设计,有助于延长设备的使用寿命并降低整体功耗。
  3. 宽工作温度范围:该芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于工业环境下的稳定运行,能够在极端温度条件下保持良好的性能。
  4. 3.3V电源供电:该芯片采用3.3V电源供电,兼容大多数现代嵌入式系统和控制器,简化了系统设计并降低了电源管理的复杂度。
  5. TSOP封装:采用54引脚TSOP封装,体积小,便于在高密度PCB设计中使用,同时提高了散热性能和电气性能。
  6. 异步接口:该芯片采用异步接口设计,能够与多种控制器和处理器无缝连接,适用于各种通用和专用系统设计。
  7. 高可靠性:ISSI作为知名的SRAM制造商,其产品以高可靠性和稳定性著称,IS43TR82560DL-107MBLI 在设计和制造过程中采用了严格的质量控制流程,确保其在复杂环境中的稳定运行。

应用

IS43TR82560DL-107MBLI 主要应用于以下领域:
  1. 工业控制系统:作为高速缓存或临时数据存储器,用于提升工业自动化设备的数据处理能力。
  2. 通信设备:用于路由器、交换机和基站设备中,作为临时数据缓冲器,以提升数据传输效率。
  3. 网络设备:在网络处理模块中用作高速缓存,提高网络设备的数据处理速度和响应能力。
  4. 嵌入式系统:适用于需要快速数据存取的嵌入式应用,如智能仪表、医疗设备和视频采集系统。
  5. 图像处理与显示设备:在图像缓存或帧缓存应用中使用,以支持实时图像处理和显示刷新。
  6. 军事与航空航天领域:由于其宽温度范围和高可靠性,也适用于对环境适应性要求较高的军事和航空航天设备。

替代型号

IS42S82560DL-107TLI, CY62148EVLL-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI

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IS43TR82560DL-107MBLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格242 : ¥42.91810散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(8x10.5)