BUK7Y8R7-60EX是一款由NXP Semiconductors生产的功率MOSFET晶体管,主要用于高效率功率转换应用。该器件属于增强型N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其封装形式为D2PAK(TO-263),适用于表面贴装技术(SMT),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):110A(在Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):8.7mΩ(典型值)
工作温度范围:-55℃至175℃
封装类型:D2PAK(TO-263)
安装类型:表面贴装
BUK7Y8R7-60EX具有极低的导通电阻,这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术,使其在高频开关应用中表现出色。此外,其高雪崩能量耐受能力和良好的热稳定性使其在严苛的工作环境下仍能保持稳定运行。该MOSFET还具有快速的开关速度,适用于需要高频率操作的应用场景,如同步整流和PWM控制。此外,其封装设计提供了良好的散热性能,确保在高电流负载下也能维持较低的工作温度。
该MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于:
? DC-DC转换器和电源模块
? 电池管理系统和充电器
? 电机驱动和控制电路
? 负载开关和电源管理单元
? 汽车电子和工业自动化系统
IRF1405, BSC080N06LS, BUK7Y10-60E