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STP110N7F6 发布时间 时间:2025/5/8 17:58:18 查看 阅读:12

STP110N7F6 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的功率转换应用。STP110N7F6 的额定电压为 70V,能够承受较大的漏极电流,并且具有良好的热性能。
  此 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场合。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:110A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:24nC(典型值)
  开关时间:ton=13ns,toff=18ns(典型值)
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

STP110N7F6 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 高电流处理能力使其能够在大功率应用中保持稳定。
  3. 快速开关速度减少了开关损耗,非常适合高频操作。
  4. 出色的热性能有助于提升可靠性,并允许在高温环境下运行。
  5. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。
  6. 强大的抗雪崩能力增强了器件的鲁棒性。

应用

STP110N7F6 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动,包括无刷直流电机控制。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率级管理。
  5. 电动车充电装置与车载充电器。
  6. 高效电池管理系统(BMS)。

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STP110N7F6参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列STripFET? F6
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)68 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)110A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 毫欧 @ 55A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5850 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)176W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3