STP110N7F6 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的功率转换应用。STP110N7F6 的额定电压为 70V,能够承受较大的漏极电流,并且具有良好的热性能。
此 MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的场合。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:110A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:24nC(典型值)
开关时间:ton=13ns,toff=18ns(典型值)
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
STP110N7F6 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻确保了较低的传导损耗,从而提高整体系统效率。
2. 高电流处理能力使其能够在大功率应用中保持稳定。
3. 快速开关速度减少了开关损耗,非常适合高频操作。
4. 出色的热性能有助于提升可靠性,并允许在高温环境下运行。
5. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。
6. 强大的抗雪崩能力增强了器件的鲁棒性。
STP110N7F6 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动,包括无刷直流电机控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率级管理。
5. 电动车充电装置与车载充电器。
6. 高效电池管理系统(BMS)。