IS43TR81280BL-107MBL 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其异步SRAM兼容的DRAM产品系列。该芯片采用8位数据总线宽度,容量为128K x 8位,工作电压为3.3V,适用于需要中等容量存储和快速访问的嵌入式系统和工业设备。IS43TR81280BL-107MBL采用CMOS工艺制造,具备低功耗特性,适用于需要长时间运行且功耗敏感的应用场景。
容量:128K x 8位
数据总线宽度:8位
工作电压:3.3V
访问时间:107ns
封装类型:TSOP
封装尺寸:54-pin
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装形式:表面贴装(SMT)
最大工作频率:约9.3 MHz(基于访问时间)
IS43TR81280BL-107MBL 的主要特性之一是其低功耗设计,这使得它非常适合用于便携式设备或嵌入式系统,尤其是在电池供电的场景中。
该芯片支持异步操作,兼容标准的SRAM接口,因此可以简化与现有系统的集成过程,减少硬件设计的复杂度。
它的访问时间为107ns,读取和写入周期时间也保持在相近水平,确保了在较高性能需求下的稳定运行。
此外,IS43TR81280BL-107MBL 采用工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),使其能够在较为严苛的环境条件下可靠运行,适用于工业自动化、通信设备和消费类电子产品等广泛领域。
该芯片的TSOP封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接,提高了整体系统的可靠性。
IS43TR81280BL-107MBL 主要应用于需要中等容量高速存储的设备,例如工业控制面板、嵌入式系统、数据采集设备、打印机和扫描仪等外设存储缓冲。
在通信设备中,该芯片可用于缓存临时数据、帧缓冲或协议处理。
此外,它也适用于消费类电子产品如智能家电、音视频设备中的临时数据存储需求。
由于其低功耗和工业级温度范围,IS43TR81280BL-107MBL 也广泛用于自动化控制系统、安防监控设备以及车载电子系统中。
对于需要SRAM接口但又希望降低成本的设计者来说,该DRAM芯片是一个理想的替代选择。
IS43TR81280BL-107BLL, IS43TR81280BL-107KBF, CY62148EVLL