GA1210Y561KXEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高频率开关应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具备出色的开关性能和热稳定性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
其封装形式和电气参数经过优化,可有效降低功耗并提高系统的整体效能。此外,该芯片还具有良好的抗静电能力和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
类型:MOSFET
工作电压:100V
持续电流:30A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:45nC
反向恢复时间:8ns
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y561KXEAR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合,例如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 内置保护功能,如过流保护和热关断,提高了器件的可靠性和安全性。
4. 优秀的热性能设计,有助于散热并延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺。
6. 稳定的工作特性和抗干扰能力,确保在复杂电磁环境下的正常运行。
这款芯片适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动车充电桩。
5. 高效 DC-DC 转换模块以及多相供电电路。
由于其卓越的性能,GA1210Y561KXEAR31G 在需要高效率和高功率密度的应用中表现尤为突出。
IRFP460, FQP14N10, STP10NK06Z