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IS43TR16640B-125JBLI 发布时间 时间:2025/4/28 10:16:12 查看 阅读:2

IS43TR16640B-125JBLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能 SDRAM 芯片。该芯片采用 16Mb x 64 的存储架构,具有低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于网络通信、工业控制和消费电子领域。
  这款 SDRAM 支持快速的数据传输速率,并具备出色的温度适应性,能够在工业级环境下稳定运行。

参数

容量:16 Mb x 64 (1 Gb)
  接口类型:SDRAM
  数据宽度:64 位
  工作电压:2.5V ± 0.2V
  速度等级:125 MHz
  封装形式:TQFP-100
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:0.5 mm
  数据传输速率:最高可达 125 Mbps

特性

IS43TR16640B-125JBLI 提供卓越的性能与可靠性,其主要特性包括:
  1. 高速数据传输能力,支持高达 125 MHz 的时钟频率。
  2. 具备突发长度选项(Burst Length),可设置为 1、2、4 或全页模式,以优化数据访问效率。
  3. 内置自动刷新功能,简化系统设计并降低功耗。
  4. 支持 CAS 延迟可编程配置,可根据具体应用场景调整延迟时间以提高性能或降低功耗。
  5. 封装紧凑且引脚排列合理,便于 PCB 布局设计。
  6. 在工业级温度范围内表现出优异的稳定性,适合各种严苛环境下的应用需求。

应用

由于其强大的性能和可靠性,IS43TR16640B-125JBLI 广泛应用于以下领域:
  1. 网络路由器和交换机中的高速缓存存储。
  2. 工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储。
  3. 医疗设备中的图像处理和数据采集模块。
  4. 消费类电子产品如打印机、扫描仪和多媒体播放器中的数据缓存。
  5. 汽车电子系统中需要高可靠性和实时响应的应用场景。

替代型号

IS43TR16640B-107JI, IS43TR16640B-125TLI

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IS43TR16640B-125JBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)