SGL60N90DG3 时间：2025/12/29 14:21:48 阅读：10

SGL60N90DG3 是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽栅场效应技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率功率转换应用，如电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等。该MOSFET封装为TO-220，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：900V
　　漏极电流(Id)：60A
　　导通电阻(Rds(on))：0.24Ω（最大值）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：200W

特性

SGL60N90DG3具有优异的导通与开关性能，其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用Infineon的CoolMOS?技术，具备更高的雪崩能量耐受能力和更好的热稳定性。
　　其高栅极电压容限（±20V）增强了抗电压尖峰能力，提高了系统可靠性。
　　此外，SGL60N90DG3具有良好的热阻特性，TO-220封装支持良好的散热性能，适用于中高功率应用。
　　内置快速恢复二极管特性，适用于需要快速开关的电路设计，如PFC（功率因数校正）电路和高频变换器。
　　该MOSFET还具有较高的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。

应用

SGL60N90DG3广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、服务器电源、工业电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及电机控制电路。
　　其优异的导通性能和高耐压能力使其特别适合用于PFC（功率因数校正）电路中，以提升电源系统的整体效率。
　　在工业自动化和电动汽车充电系统中，该器件也常用于高效率功率变换模块的设计。
　　由于其良好的热管理和抗干扰能力，SGL60N90DG3也可用于高频率开关应用，如谐振变换器和ZVS/ZCS拓扑结构。
　　此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）以及智能电网设备中的功率控制部分。