时间：2025/4/29 17:01:35
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IPB330P10NM 是一款 N 沟道功率 MOSFET，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够显著提高效率并降低功耗。其封装形式通常为 TO-220 或类似功率封装，适用于多种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：33A
导通电阻：0.14Ω
栅极电荷：48nC
总栅极电荷：75nC
开关时间：ton=78ns, toff=92ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
IPB330P10NM 的主要特点是其高耐压能力（650V），适合高压电路环境。同时，其低导通电阻（0.14Ω）确保了在大电流条件下仍能保持较低的功耗。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
该 MOSFET 还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，这使其非常适合于对温度要求较高的应用场景。另外，其封装形式便于散热管理，进一步提升了器件的整体性能。
IPB330P10NM 广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高频开关和高效能量转换的场景。由于其高耐压特性和大电流处理能力，该器件特别适合于工业控制、汽车电子以及家用电器等领域的电力管理系统。
IPW330P10N, IRF840, STP33NF10
