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IS43TR16256AL-15HBL 发布时间 时间:2025/9/1 9:23:20 查看 阅读:10

IS43TR16256AL-15HBL 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特性,适用于多种嵌入式系统和工业控制应用。

参数

容量:256K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:15ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS43TR16256AL-15HBL 的核心优势在于其高速访问时间和低功耗设计,能够在各种严苛的环境下稳定运行。该芯片支持异步操作,无需时钟同步,简化了系统设计。其宽电压范围(2.3V 至 3.6V)使其兼容多种电源管理系统,适用于便携式设备和电池供电系统。此外,该芯片具备高可靠性,符合工业级温度范围要求(-40°C 至 +85°C),可在高温和低温环境中正常工作。
  在封装方面,IS43TR16256AL-15HBL 使用 TSOP 封装形式,体积小巧,便于集成到紧凑型电路板设计中。其54引脚的布局提供了稳定的信号传输能力,适用于高速数据缓存和临时存储应用。芯片内部采用先进的CMOS技术,有效降低了静态电流和动态功耗,延长了设备的使用寿命并提高了能效。

应用

IS43TR16256AL-15HBL 广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品和嵌入式系统中。常见的应用包括网络路由器和交换机的缓冲存储器、工业自动化设备的临时数据存储、医疗设备的高速缓存以及智能仪表的数据处理单元。此外,该芯片也适用于需要高速存储和低功耗运行的便携式电子设备,如手持终端和测试测量仪器。

替代型号

IS43LV16256AL-15HBL, CY62167VLL-15ZSXE, IDT71V128SA15PFG

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IS43TR16256AL-15HBL参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)